这项“源头疏浚”的工程，效果堪称震撼：关键热阻降至原先的三分之一。这意味着什么？同等功耗下，芯片的“体温”将显著降低，工作环境更“凉爽”，寿命和可靠性大幅提升。或者，更富进攻性的应用是：在安全温度红线内，芯片可以“放心大胆”地输出更高功率，直接提升性能上限。

基于此技术制备出的新型氮化镓微波功率器件，其单位面积输出功率比国际现有最先进水平提升了30%-40%。这个数字，放在实战背景下，意味着：探测雷达的视线可以看得更远、更清晰，率先发现敌踪；5G/未来6G基站的信号覆盖更广、穿透力更强，且自身能耗更低。这不是纸面竞赛，这是实实在在的、可转化为体系优势的性能碾压。[page]

三、 超越技术本身：一次对产业链的“侧翼穿插”‍

然而，笔者看来，这项成果的战略意义，远不止于为一类芯片“退烧”。它更像是一次精心策划的“侧翼穿插”，动摇了对手在传统赛道上构筑的壁垒。

首先，它提供了一套可复制、可推广的“东大范式”。它证明了，通过底层材料创新和基础工艺革新，能够从物理原理上系统性地解决半导体领域的共性难题。这种从材料科学源头入手的方法论，对于正在全面攀登芯片技术高山的东大产业界而言，是一剂强心针，更是一本指明了“另一条路”的宝贵攻略。它告诉我们的工程师和科学家：不必永远在别人设计的架构里追跑，可以回到基础物理的源头去创新。