芯片“热战”:东大在沉默战场投下一枚“冷”炸弹

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热量,成了锁死芯片性能进一步提升的最坚固枷锁。西电团队瞄准的,正是这个“枷锁”的铸造源头。他们发现,长期以来,芯片晶体生长的初始“地基层”(成核层)粗糙不平,如同坑洼颠簸、遍布路障的乡间土路,严重阻碍了热量从产生点向外的顺畅传导,形成了散热瓶颈的“第一公里”。[page]

二、 原子级的“工兵作业”:东大团队的精准爆破

如何破局?西电团队的思路,充满了东方智慧式的“精准”与“巧妙”。

他们没有在芯片外围的“冷却系统”上做复杂而无谓的加法(那往往是西方巨头喜欢走的“堆料”路径),而是选择深入芯片材料的“原子级”世界,从热产生的源头动手术,进行一场精密的“微观战场工程”。他们创新性地采用高能离子注入技术,对那层粗糙的“地基”进行了一场原子尺度的“精准打磨”与“结构重构”。

形象地说,这就像派出一支纳米级的工程兵部队,用最精密的定向能手段,将一条遍布弹坑和瓦砾的阻击道路(粗糙成核层),修葺、压实成一条光滑如镜、直通后方的高速通道。热量(如同后勤车队)在这条新“通道”上遇到的阻力骤然减小,传导效率由此发生飞跃。